收藏本站
NTD4813NH, NVD4813NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
80
70
60
50
10 V
8V
6V
T J = 25 ° C
5V
4.5 V
60
50
40
V DS ≥ 10 V
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3V
10
30
20
10
0
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2
T J = ? 55 ° C
4
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
0.03
0.02
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.02
0.01
0.01
V GS = 11.5 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 20 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4815NHT4G MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
NTD4815NT4G MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
NTD4854NT4G MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
NTD4855NT4G MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
NTD4856NT4G MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
NTD4857NT4G MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
NTD4860NT4G MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
NTD4863NA-35G MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
相关代理商/技术参数
NTD4813NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4815N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815N-35G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N 30V 3 I-PAK
NTD4815NH 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4815NH-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815NH-35G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube